High Sensitivity InAs DQW Linear Hybrid Hall ICs with InAs Deep Quantum Well Hall Elements
High Sensitivity InAs DQW Linear Hybrid Hall ICs with InAs Deep Quantum Well Hall Elements
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具有 InAs 深量子阱霍尔元件的高灵敏度 InAs DQW 线性混合霍尔 IC
DOI：
10.1541/ieejsmas.133.301
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发表时间：
2013
影响因子：
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通讯作者：
鈴木健治
中科院分区：
文献类型：
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作者：
柴﨑一郎;栗山憲冶;牧野崇史;深澤尚也;鈴木健治
