GaN上GaInN膜成長初期のSi層挿入数に対する格子緩和過程の変化
GaN上GaInN膜成長初期のSi層挿入数に対する格子緩和過程の変化
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GaN上GaInN薄膜初始生长过程中晶格弛豫过程随插入Si层数的变化
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
本田 徹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
横山 晴香;山口 智広;佐々木 拓生;大野 颯一朗;木口 賢紀;比留川 大輝;藤川 誠司;高橋 正光;尾沼 猛儀;本田 徹
