Crystallinity of 3C-SiC Films Grown on Si Substrates
Crystallinity of 3C-SiC Films Grown on Si Substrates
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Si 衬底上生长的 3C-SiC 薄膜的结晶度
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.191
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Nagasawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Yagi;H. Nagasawa
