Structure of clean and arsenic-covered GaN(0 0 0 1) surfaces
Structure of clean and arsenic-covered GaN(0 0 0 1) surfaces
复制标题
干净且砷覆盖的 GaN(0 0 0 1) 表面的结构
DOI：
10.1016/s0022-0248(99)00570-9
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发表时间：
2000
影响因子：
1.8
通讯作者：
D. Greve
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. Ramachandran;C. D. Lee;R. Feenstra;A. Smith;J. Northrup;D. Greve
