Efficient magnetization switching by spin-orbit torque in a single layer of perpendicularly magnetized ferromagnetic semiconductor GaMnAs
Efficient magnetization switching by spin-orbit torque in a single layer of perpendicularly magnetized ferromagnetic semiconductor GaMnAs
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通过单层垂直磁化铁磁半导体 GaMnAs 中的自旋轨道扭矩进行有效磁化切换
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Masaaki Tanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shinobu Ohya;Miao Jiang;Hirokatsu Asahara;Shoichi Sato;Toshiki Kanaki;Hiroki Yamasaki;and Masaaki Tanaka
