i-GaAs/n-GaAsとi-GaAs/p-GaAsエピタキシャル構造におけるテラヘルツ電磁波放射特性の対比
i-GaAs/n-GaAsとi-GaAs/p-GaAsエピタキシャル構造におけるテラヘルツ電磁波放射特性の対比
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i-GaAs/n-GaAs和i-GaAs/p-GaAs外延结构的太赫兹电磁辐射特性比较
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中山正昭
中科院分区：
文献类型：
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作者：
住岡隆裕;竹内日出雄;中山正昭
