Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性
Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性
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Al2O3/SiC MOS结构中导带边缘附近的电特性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
財満 鎭明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
田岡 紀之;坂下 満男;中塚 理;財満 鎭明
