Formation of low resistance contacts to p-type 4H-SiC using laser doping with an Al thin-film dopant source
Formation of low resistance contacts to p-type 4H-SiC using laser doping with an Al thin-film dopant source
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使用铝薄膜掺杂剂源进行激光掺杂，形成 p 型 4H-SiC 的低电阻触点
DOI：
10.7567/1347-4065/ab12c3
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Asano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Okamoto;T. Kikuchi;A. Ikeda;H. Ikenoue;T. Asano
