多結晶Si基板上DH 接合型GaN系発光ダイオードのInGaN活性層 の発光特性
多結晶Si基板上DH 接合型GaN系発光ダイオードのInGaN活性層 の発光特性
复制标题
多晶Si衬底DH结GaN发光二极管InGaN有源层的发光特性
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
佐藤 祐一
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
薛 後耀，谷口 真悟，齋藤 宇;折舘 尚之;齋藤 翼;佐藤 祐一
