表面活性化常温ウェハ接合技術を用いたGe p+-i接合型遠赤外線検出素子開発のための各層の物理特性の評価
表面活性化常温ウェハ接合技術を用いたGe p+-i接合型遠赤外線検出素子開発のための各層の物理特性の評価
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利用表面激活室温晶圆键合技术开发Ge p+-i结远红外探测元件的各层物理性能评估
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
馬場俊介
中科院分区：
文献类型：
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作者：
田中琴未;金田英宏;大薮進喜;服部和生;木幡洸大;花岡美咲;和田武彦;鈴木仁研;渡辺健太郎;長勢晃一;公地千尋;馬場俊介
