K.Hayama: "Different reaction of O_2 and oxygen radicals with Siunder critical conditions for growth of SiO_2" Proc.of Second Int.Sympo.on Ultra Clean Processing of Silicon Surfaces (acco). 305-308 (1994)
K.Hayama: "Different reaction of O_2 and oxygen radicals with Siunder critical conditions for growth of SiO_2" Proc.of Second Int.Sympo.on Ultra Clean Processing of Silicon Surfaces (acco). 305-308 (1994)
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K.Hayama：“O_2 和氧自由基在 Siunder 生长 SiO_2 的临界条件下的不同反应”Proc.of Second Int.Sympo.on Ultra Clean Process of Silicon Surfaces (acco)。
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