Photoluminescence of hydrogenated amorphous silicon
Photoluminescence of hydrogenated amorphous silicon
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DOI：
10.1063/1.89737
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发表时间：
1977-10
影响因子：
4
通讯作者：
J. Pankove;D. Carlson
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Pankove;D. Carlson
通过硅烷的辉光放电分解获得的非晶硅可以含有大约18-50原子%的硅烷。氢。将这种材料加热到350 °C以上会导致H2的释放。光致发光效率随着氢耗尽的增加而降低。
Amorphous silicon obtained by the glow‐discharge decomposition of silane can contain on the order of 18–50 at.% of hydrogen. Heating this material above 350 °C causes the evolution of H2. The photoluminescence efficiency decreases with increasing hydrogen depletion.