Characteristics of Oxide TFT with Amorphous Carbon-Doped In2O3 Channel Using 150 °C Low Temperature Process
Characteristics of Oxide TFT with Amorphous Carbon-Doped In2O3 Channel Using 150 °C Low Temperature Process
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采用 150 °C 低温工艺的非晶碳掺杂 In2O3 通道氧化物 TFT 的特性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Atsushi Ogura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Riku Kobayashi;Toshihide Nabatame;Kazunori Kurishima;Takashi Onaya;Akihiko Ohi;Naoki Ikeda;Takahiro Nagata;Kazuhito Tsukagoshi;and Atsushi Ogura
