Masahiko Suzuki: "The 2.4FィイD12ィエD1 Memory Cell Technology with Stacked-Surrounding Gate Transistor (S-SGT) DRAM"The transactions of the institute of electronics, information and communication engineers. J83-C, No.1, (C-I, C-II combined issue). 92-93 (200
Masahiko Suzuki: "The 2.4FィイD12ィエD1 Memory Cell Technology with Stacked-Surrounding Gate Transistor (S-SGT) DRAM"The transactions of the institute of electronics, information and communication engineers. J83-C, No.1, (C-I, C-II combined issue). 92-93 (200
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Masahiko Suzuki：“采用堆叠式环绕栅极晶体管 (S-SGT) DRAM 的 2.4F D12D1 存储单元技术”电子、信息和通信工程师研究所的交易 J83-C，No.1，（C-I、C-）。 II 合并问题）92-93（200）。
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