Organometallic vapor deposition of epitaxial ZnSe films on GaAs substrates
Organometallic vapor deposition of epitaxial ZnSe films on GaAs substrates
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GaAs 衬底上的有机金属气相沉积外延 ZnSe 薄膜
DOI：
10.1063/1.90454
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发表时间：
1978
影响因子：
4
通讯作者：
W. Stutius
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Stutius
采用一种新的低压低温有机金属化学气相沉积工艺，在（100）GaAs衬底上生长出光滑的（100）ZnSe外延单晶层。强的带边光致发光峰和在较长波长处没有任何实质性的发光强度表明没有深捕获中心，这在其他CVD生长中通常没有观察到。
Smooth epitaxial single‐crystalline layers of (100) ZnSe on (100) GaAs substrates are grown by a new low‐pressure low‐temperature organometallic chemical vapor deposition process. The strong band‐edge photoluminescence peak and the absence of any substantial luminescence intensity at longer wavelengths indicate an absence of deep trapping centers which is typically not observed in other CVD growth.