Atomistic Origin of Dipole Layer at High-k/SiO2 Interface
Atomistic Origin of Dipole Layer at High-k/SiO2 Interface
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高 k/SiO2 界面偶极层的原子起源
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takanobu Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Hijikata;S. Akahori;and T. Ohshima;Takanobu Watanabe
