K.Takahashi et al.: "Evaluation of CF_2 radical as a precursor for fluorocarbon film formation in highly selective SiO_2 etching." Japanese Journal of Applied Physics. 35. 3635 (1996)
K.Takahashi et al.: "Evaluation of CF_2 radical as a precursor for fluorocarbon film formation in highly selective SiO_2 etching." Japanese Journal of Applied Physics. 35. 3635 (1996)
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K.Takahashi 等人：“CF_2 自由基作为高选择性 SiO_2 蚀刻中氟碳膜形成前体的评估”。
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