AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate
AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate
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单晶 AlN 衬底上的 AlGaInN/GaN HEMT
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Makoto Miyoshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sakura Tanaka;Tomoyuki Kawaide;Akiyoshi Inoue;Takashi Egawa;Makoto Miyoshi
