Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN and InN
Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN and InN
复制标题
GaN 和 InN 的感应耦合等离子体反应离子蚀刻
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Honda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Narutani;T. Yamaguchi;T. Araki;Y. Nanishi;T. Onuma;and T. Honda
