Influence of the GaN Layer Thickness on the Crystallinity in the Vapor Phase Epitaxy Growth of GaN Using Ga2O
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Ga2O气相外延生长GaN层厚度对结晶度的影响
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tomoaki Sumi et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P.V. Avramov;A.A. Kuzubov;S. Sakai;H. Naramoto;M. Ohtomo;S. Entani;Y. Matsumoto;P.B. Sorokin;Tomoaki Sumi et al.
