Improvement of Thickness Uniformity of SOI (Silicon on Insulator) Layer by Numerically Controlled Sacrificial Oxidation Using Arrayed Atmospheric-Pressure Plasma
Improvement of Thickness Uniformity of SOI (Silicon on Insulator) Layer by Numerically Controlled Sacrificial Oxidation Using Arrayed Atmospheric-Pressure Plasma
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使用阵列大气压等离子体进行数控牺牲氧化以改善 SOI（绝缘体上硅）层的厚度均匀性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shohei Kamisaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高奈秀匡;他;水谷公一;水谷公一;水谷 公一;R. Murakami;R. Murakami;R. Murakami;村上 理一;村上 理一;Shohei Kamisaka;Shohei Kamisaka
