Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)(Invited Paper)
Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)(Invited Paper)
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Si(100)上外延生长的Si/应变Si_<1-x>Ge_x纳米级异质结构空穴谐振隧道二极管的制备（特邀论文）
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Sakuraba
中科院分区：
文献类型：
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作者：
X. Zhou;K. Uchida;H. Mizuta;S. Oda;M. Sakuraba
