Ge 基板上に成長させたInGaAs のスピン緩和の観測(10-300 K)
Ge 基板上に成長させたInGaAs のスピン緩和の観測(10-300 K)
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Ge 衬底上生长的 InGaAs 自旋弛豫观察（10-300 K）
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
竹内淳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
牛見健則;中田大海;石塚俊裕;S. L. Lu;J. R. Dong;竹内淳
