Thermal expansion of c-Si via ab initio molecular dynamics.
Thermal expansion of c-Si via ab initio molecular dynamics.
复制标题
通过从头算分子动力学的 c-Si 热膨胀。
DOI：
10.1103/physrevb.41.1680
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发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Parrinello
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Búda;Car;Parrinello
在Montre que les上，我们拥有热力学、半导体、可获得的辅助计算、高级原理和重要的计算方法。
On montre que les proprietes thermodynamiques des semiconducteurs sont accessibles aux calculs des premiers principes et peuvent etre calculees avec une grande exactitude