Characterization of Nonvolatile Memory Operations Using GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes Fabricated on SOI Substrate
Characterization of Nonvolatile Memory Operations Using GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes Fabricated on SOI Substrate
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使用 SOI 基板上制造的 GaN/AlN 谐振隧道二极管表征非易失性存储器操作
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shimizu Mitsuaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nagase Masanori;Takahashi Tokio;Shimizu Mitsuaki
