Thresholds of impact ionization in semiconductors

Thresholds of impact ionization in semiconductors
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半导体中碰撞电离的阈值

DOI：
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发表时间：
1992
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Hess
K. Hess
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
J. Bude;K. Hess

文献摘要

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使用电离率的第一原理方法，我们重新审视了一些关于碰撞电离的偏见，并提供了阈值作用的新观点。我们还讨论了与硅和一些III-V族化合物的能带结构相关的电离系数的趋势。
Using a first‐principles approach to the ionization rate, we re‐examine some of the prejudices concerning impact ionization and offer a new view of the role of thresholds. We also discuss trends of ionization coefficients related to the energy band structure for silicon and a number of III‐V compounds.