Effects of 5 MeV Proton Irradiation on Nitrided SiO2/4H-SiC MOS Capacitors and the Related Mechanisms
Effects of 5 MeV Proton Irradiation on Nitrided SiO2/4H-SiC MOS Capacitors and the Related Mechanisms
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5 MeV质子辐照对氮化SiO2/4H-SiC MOS电容器的影响及相关机制
DOI：
10.3390/nano10071332
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
5.3
通讯作者：
Zhang Yimen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Li Dongxun;Zhang Yuming;Tang Xiaoyan;He Yanjing;Yuan Hao;Jia Yifan;Song Qingwen;Zhang Ming;Zhang Yimen
