Semiconductor disk laser at 2.05 μm wavelength with <100 kHz linewidth at 1 W output power
Semiconductor disk laser at 2.05 μm wavelength with <100 kHz linewidth at 1 W output power
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半导体盘激光器，波长 2.05 μm，线宽 <100 kHz，输出功率 1 W
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Wagner
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Kaspar;M. Rattunde;Tino Töpper;C. Manz;K. Köhler;J. Wagner
报道了一台光泵2.05 μm单模GaSb基半导体激光器（SDL），输出功率为960 mW（1100 mW），边模抑制优于30 dB（20 dB）。在960 mW的输出功率下测得线宽为60 kHz（采样时间：100 μs）。这种改进的输出功率比以前的报告，这是通过仔细设计的SDL腔密切关注腔模式和泵点之间的空间重叠，使这一类的SDL特别有吸引力的遥感和光学自由空间通信。
We report on an optically pumped single-mode GaSb-based semiconductor disk laser (SDL) emitting at 2.05 μm at an output power of 960 mW (1100 mW) with a side-mode suppression of better than 30 dB (20 dB). A linewidth of 60 kHz (sampling time: 100 μs) was measured at an output power of 960 mW. This improvement in output power over previous reports, which was achieved via a careful design of the SDL cavity paying close attention to the spatial overlap between cavity mode and pump spot, makes this class of SDL particularly attractive for remote sensing and optical free-space communication.
影响因子：
11
作者：
S. Calvez;J. Hastie;M. Guina;O. Okhotnikov;M. Dawson
通讯作者：
S. Calvez;J. Hastie;M. Guina;O. Okhotnikov;M. Dawson