Growth of InGaAs/GaNAs strain-compensated quantum dot superlattice on GaAs (3 1 1)B by molecular beam epitaxy
Growth of InGaAs/GaNAs strain-compensated quantum dot superlattice on GaAs (3 1 1)B by molecular beam epitaxy
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通过分子束外延在 GaAs (3 1 1)B 上生长 InGaAs/GaNAs 应变补偿量子点超晶格
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2008.10.108
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发表时间：
2009
影响因子：
1.8
通讯作者：
Y. Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Oshima;Y. Shoji;A. Takata;Y. Okada
InP(311)B上堆叠InAs自组织量子点的光学性质
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Journal of Crystal Growth 301
影响因子：
--
作者：
R. Oshima;K. Akahane;M. Tsuchiya;H. Shigekawa;and Y. Okada
通讯作者：
and Y. Okada
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H
GaAs(001)上多层InAs/GaNAs应变补偿量子点的生长
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
Ayami Takata;Ryuji Oshima;Yasushi Shoji;Yoshitaka Okada
通讯作者：
Yoshitaka Okada