Deep Pits and Their Influence on the Device Performance for MOCVD Grown AlGaN/GaN HEMTS on Si Substrate
Deep Pits and Their Influence on the Device Performance for MOCVD Grown AlGaN/GaN HEMTS on Si Substrate
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Si 衬底上 MOCVD 生长 AlGaN/GaN HEMTS 的深坑及其对器件性能的影响
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Egawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. L. Selvaraj;A;Watanabe;T. Egawa
