K.FUKUDA et al.: "Low-Temperature Silicon Epitaxy without Substrate Heating by Ultraclean ECR-Plasma-Enhanced CVD" Extended Abstract 179t Electrochemical Society Spring Meeting.Washington DC. 91-1. 575-576 (1991)
K.FUKUDA et al.: "Low-Temperature Silicon Epitaxy without Substrate Heating by Ultraclean ECR-Plasma-Enhanced CVD" Extended Abstract 179t Electrochemical Society Spring Meeting.Washington DC. 91-1. 575-576 (1991)
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K.FUKUDA 等人：“通过超洁净 ECR 等离子体增强 CVD 实现无需基板加热的低温硅外延”扩展摘要 179t 电化学学会春季会议。华盛顿特区。
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