Introduction of Ultrahigh Density Ge Nanodots into Si Films for Si Based Thermoelectric Materials
Introduction of Ultrahigh Density Ge Nanodots into Si Films for Si Based Thermoelectric Materials
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将超高密度Ge纳米点引入Si薄膜用于硅基热电材料
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Akira Sakai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shuto Yamasaka;Yoshiaki Nakamura;Tomohiro;Ueda;Shotaro Takeuchi;and Akira Sakai
