Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al_2O_3 (0001) templates
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GaN/Al_2O_3 (0001) 模板上富 In 条件下的新型 InN 生长方法
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Yamaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Muto;H. Naoi;S. Takado;T. Araki;and Y. Nanishi;Daisuke Muto;D.Muto;中谷佳津彦;福本英太;T. Yamaguchi
