Comments on “Modeling MOSFET surface capacitance behavior under non-equilibrium”
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DOI：
10.1016/j.sse.2005.12.008
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发表时间：
2006-02
影响因子：
1.7
通讯作者：
Jin He;Xing Zhang;Yangyuan Wang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jin He;Xing Zhang;Yangyuan Wang
