Flat Surface after High-Temperature Annealing for Phosphorus-Ion Implanted 4H-SiC(0001) using Graphite Cap
Flat Surface after High-Temperature Annealing for Phosphorus-Ion Implanted 4H-SiC(0001) using Graphite Cap
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使用石墨帽的磷离子注入 4H-SiC(0001) 高温退火后的平坦表面
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.457-460.933
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Matsunami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Negoro;K. Katsumoto;T. Kimoto;H. Matsunami
