A microspectroscopic insight into the resistivity switching of individual Ag-TCNQ nanocrystals.
A microspectroscopic insight into the resistivity switching of individual Ag-TCNQ nanocrystals.
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对单个 Ag-TCNQ 纳米晶体电阻率转换的显微光谱观察
DOI：
10.1039/c5cp02207j
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Rainer H. Fink
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Benedikt Rösner;Ke Ran;Ute Schmidt;Benjamin Butz;Erdmann Spiecker;Rainer H. Fink
我们调查的电阻率开关在个别Ag-TCNQ线与开/关比高达103。拉曼和软X射线吸收显微光谱研究揭示了反向电荷转移。量化开关材料内的中性TCNQ的分数产生值高达22.3%。这些发现加快了对Ag-TCNQ纳米线开关过程的理解。
We investigate the resistivity switching in individual Ag–TCNQ wires with on/off-ratios of up to 103. Raman and soft X-ray absorption microspectroscopy studies disclose reverse charge transfer. Quantifying of the fraction of neutral TCNQ within the switched material yields values up to 22.3%. These findings expedite the understanding of the switching process in Ag–TCNQ nanowires.
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