Reversible and Irreversible Degradation Attributing to Oxygen Vacancy in HfSiON Gate Films during Electrical Stress Application", p.131-134 2009)
Reversible and Irreversible Degradation Attributing to Oxygen Vacancy in HfSiON Gate Films during Electrical Stress Application", p.131-134 2009)
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施加电应力期间 HfSiON 栅极薄膜中氧空位导致的可逆和不可逆退化”，第 131-134 页，2009 年）
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Yamabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.Hasunuma;C.Tamura;T.Nomura;Y.Kikuchi;K.Ohmori;M.Sato;A.Uedono;T.Chikyow;K.Shiraishi;K.Yamada;K.Yamabe
