A SiC 3D Power IC Directly Integrating a Power MOSFET With Its CMOS Gate Driver Using Flip Chip Bonding
A SiC 3D Power IC Directly Integrating a Power MOSFET With Its CMOS Gate Driver Using Flip Chip Bonding
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使用倒装芯片接合直接集成功率 MOSFET 及其 CMOS 栅极驱动器的 SiC 3D 功率 IC
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Atsushi Yao;Mitsuo Okamoto;Shinji Sato;Daiki Yamaguchi;Hiroshi Sato
