トンネルFET用n型TixZn1-xO1+x及びGa2xZn1-xO1+2xチャネルの検討
トンネルFET用n型TixZn1-xO1+x及びGa2xZn1-xO1+2xチャネルの検討
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隧道 FET 的 n 型 TixZn1-xO1+x 和 Ga2xZn1-xO1+2x 通道的考虑
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小椋厚志、知京豊裕、長田貴弘
中科院分区：
文献类型：
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作者：
栗島 一徳;小椋厚志、知京豊裕、長田貴弘
