A 200-GHz Power Amplifier With a Wideband Balanced Slot Power Combiner and 9.4-dBm ${P_{sat}}$ in 65-nm CMOS: Embedded Power Amplification
A 200-GHz Power Amplifier With a Wideband Balanced Slot Power Combiner and 9.4-dBm ${P_{sat}}$ in 65-nm CMOS: Embedded Power Amplification
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具有宽带平衡槽功率组合器和 65 nm CMOS 中的 9.4 dBm ${P_{sat}}$ 的 200 GHz 功率放大器：嵌入式功率放大器
DOI：
10.1109/jssc.2021.3091546
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发表时间：
2021
影响因子：
5.4
通讯作者：
Momeni, Omeed
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bameri, Hadi;Momeni, Omeed
