Silicon anodic‐plasma oxidation during magnetron sputtering of yttria‐stabilized zirconia
Silicon anodic‐plasma oxidation during magnetron sputtering of yttria‐stabilized zirconia
复制标题
磁控溅射氧化钇稳定氧化锆过程中的硅阳极等离子体氧化
DOI：
10.1063/1.112657
复制
发表时间：
1994
影响因子：
4
通讯作者：
A. Znamenskii
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
V. G. Beshenkov;V. A. Marchenko;A. Znamenskii
在YSZ（氧化钇稳定的氧化锆）磁控管沉积到Si上期间，浮动电位Vf显示出在空间和时间上变化。Vf梯度导致基底相对于平衡浮动电位带正电并经历阳极等离子体氧化。在YSZ膜沉积过程中，将衬底偏置到低于浮动电位抑制了SiO2的生长。
The floating potential Vf was shown to vary in space and time during YSZ (yttria‐stabilized zirconia) magnetron deposition onto Si. The Vf gradient causes the substrate to become positively charged with respect to the equilibrium floating potential and undergo anodic‐plasma oxidation. Biasing the substrate below the floating potential suppresses SiO2 growth during YSZ film deposition.