4H-SiC Layers Grown by Liquid Phase Epitaxy on 4H-SiC Off-Axis Substrates
4H-SiC Layers Grown by Liquid Phase Epitaxy on 4H-SiC Off-Axis Substrates
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在 4H-SiC 离轴衬底上通过液相外延生长的 4H-SiC 层
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.229
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
György Vida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Kuznetsov;A. Morozov;D. Bauman;V. Ivantsov;V. A. Sukhoveyev;I. Nikitina;A. Zubrilov;S. Rendakova;V. Dmitriev;D. Hofman;György Vida
