A.Sasaki, K.Nishizuka, H.Nagata, and X-Q.Liu: "Growth Temperature Dependence of Luminescence Properties and Phase Separation of InGaN layers"19^<th> Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka,. June. 28-30 (2000)
A.Sasaki, K.Nishizuka, H.Nagata, and X-Q.Liu: "Growth Temperature Dependence of Luminescence Properties and Phase Separation of InGaN layers"19^<th> Electronic Materials Symposium, Izu-Nagaoka,. June. 28-30 (2000)
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A.Sasaki、K.Nishizuka、H.Nagata 和 X-Q.Liu：“InGaN 层的发光特性和相分离的生长温度依赖性”第 19 届电子材料研讨会，伊豆长冈。
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