Co-Zr-Nb膜を用いたクロストーク抑制素子の挿入損失の低減に関する検討
Co-Zr-Nb膜を用いたクロストーク抑制素子の挿入損失の低減に関する検討
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利用Co-Zr-Nb薄膜降低串扰抑制元件插入损耗的研究
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小林拓真，室賀 翔，田中元志，遠藤 恭，枦修一郎，石山和志，直江正幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takuma Kobayashi;Takahiro Mikami;Sho Muroga;Motoshi Tanaka;高木 晋作;小西朋春，長坂揺月，飯山宏一;山越芳樹;小林拓真，室賀 翔，田中元志，遠藤 恭，枦修一郎，石山和志，直江正幸
