The negative bias temperature instability in MOS devices: A review

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DOI:
10.1016/j.microrel.2005.08.001
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发表时间:
2006-02
期刊:
Microelectron. Reliab.
影响因子:
--
通讯作者:
J. Stathis;S. Zafar
J. Stathis;S. Zafar
中科院分区:
其他
文献类型:
--
作者:
J. Stathis;S. Zafar

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