470および400 nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価
470および400 nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価
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470和400 nm波段InGaN量子阱半导体激光器的增益特性评估
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
向井孝志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小島一信;船戸充;川上養一;ウルリヒ・T・シュワルツ;ハラルド・ブラウン;長濱慎一;向井孝志
