Si K-edge and Ge K-edge X-ray absorption spectroscopy of the SiGe interface in [( Si) m ( Ge) n ] p atomic layer superlattices
Si K-edge and Ge K-edge X-ray absorption spectroscopy of the SiGe interface in [( Si) m ( Ge) n ] p atomic layer superlattices
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[(Si)m(Ge)n]p原子层超晶格中SiGe界面的SiK边和GeK边X射线吸收光谱
DOI：
10.1016/0039-6028(93)90453-q
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发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
T. Jackman
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Hitchcock;T. Tyliszczak;P. Aebi;J. Xiong;T. Sham;K. Baines;K. A. Mueller;X. Feng;J. M. Chen;B. Yang;Zhe Lu;J. Baribeau;T. Jackman
