Cathodoluminescence Hyperspectral Imaging of Nitride Semiconductors: Introducing New Variables
Cathodoluminescence Hyperspectral Imaging of Nitride Semiconductors: Introducing New Variables
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氮化物半导体的阴极发光高光谱成像：引入新变量
DOI：
10.1017/s1431927614006254
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发表时间：
2014
影响因子：
2.8
通讯作者：
Edwards P
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Edwards P
