スパッタ成膜法によるGe(100)基板上のGeSnエピタキシャル成長
スパッタ成膜法によるGe(100)基板上のGeSnエピタキシャル成長
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溅射沉积法在Ge(100)衬底上外延生长GeSn
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡部 平司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
國吉 望月;安部 和弥;田中 信敬;星原 雅生,小林 拓真;志村 考功;渡部 平司
