二軸引張りひずみSi MOS電子・正孔反転層における界面電荷・基板不純物によるクーロン散乱に与える影響の統一的な物理機構
二軸引張りひずみSi MOS電子・正孔反転層における界面電荷・基板不純物によるクーロン散乱に与える影響の統一的な物理機構
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界面电荷和衬底杂质对双向拉伸应变Si MOS电子/空穴反转层库仑散射影响的统一物理机制
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高木信一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
趙毅;竹中充;高木信一
